凯时kb88官网登陆运动补偿系统迂回路由焊接电源介质薄膜公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售及技术服务，根据证监会《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司隶属于专用设备制造业（行业代码：C35）。根据《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司隶属于专用设备制造业下的半导体器件专用设备制造（行业代码：C3562）。根据国家统计局颁布的《战略性新兴产业分类（2018）》，公司隶属于新一代信息技术产业下的集成电路制造行业。半导体行业的发展水平与国家科技水平息息相关，其发展情况已成为全球各国经济、社会发展的风向标，是衡量一个国家现代化程度和科技实力的重要标志。半导体设备作为半导体产业链的技术先导者，是半导体产业发展的基础和技术进步的关键，其自主可控尤为重要。随着半导体技术的迭代升级，半导体元器件逐步向精密化、微小化发展，对制造工艺技术不断提出挑战，半导体设备的重要地位日益凸显。近年来，半导体设备行业在下游快速发展的推动下，保持快速增长。根据SEMI数据统计，2021年全球半导体制造设备的销售额约1026亿美元，同比增长约44%，2021年中国大陆地区半导体设备销售规模达约296.2亿美元，同比增长约58%，中国大陆2020年、2021年均为全球半导体设备最大市场。2022年第一季度全球半导体设备出货金额达到247亿美元，同比增长5%，中国大陆第一季度半导体设备出货金额为75.7亿美元，排在第一位，同比增长27%。目前，全球半导体设备市场主要由国外厂商主导。伴随着我国对半导体产业不断的政策扶持、加大投入力度，国产半导体设备实现了从无到有、从弱到强的质的飞跃，使我国半导体产业生态和制造体系得以不断完善。但我国半导体设备市场仍严重依赖进口，因此，能够实现进口替代的国内半导体设备厂商市场空间较大，并迎来巨大的成长机遇。根据SEMI和北京欧立信数据显示，2021年全球薄膜沉积设备市场规模达210亿美元，按照2021年国内半导体设备市场占全球市场28.87%的比例测算，2021年中国大陆薄膜沉积设备市场规模约为60亿美元，较2020年测算的45亿美元同比增长约33%。2022年全球薄膜沉积设备市场规模将持续增长，预计达到250亿美元，中国大陆市场也将保持增长趋势，为国内薄膜设备厂商带来广阔的市场空间。据SEMI统计，在新建晶圆厂设备投资中，晶圆制造相关设备投资额占比约为总体设备投资的80%，薄膜沉积设备作为晶圆制造的三大主设备之一，其投资规模占晶圆制造设备总投资的25%。薄膜沉积设备主要包括化学气相沉积（CVD）设备和物理气相沉积（PVD）设备。公司主要聚焦在CVD设备细分领域内的等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、次常压化学气相沉积（SACVD）设备及原子层沉积（ALD）设备。不同种类的薄膜沉积设备适用于不同工艺节点对膜质量、厚度以及孔隙沟槽填充能力等不同要求。根据SEMI和北京欧立信数据显示，在2021年全球各类薄膜沉积设备市场份额中，PECVD是薄膜设备中占比最高的设备类型，占整体薄膜沉积设备市场的33%，ALD设备占比约为11%，SACVD属于其他薄膜沉积设备类目下的产品，占比小于6%。随着半导体行业整体景气度的提升，全球半导体设备市场呈现快速增长态势，拉动市场对薄膜沉积设备需求的增加。Maximize Market Research预计全球半导体薄膜沉积设备市场规模在2025年将达到340亿美元，2020年-2025年期间保持年复合13.3%的增长速度。其中，ALD设备市场规模将快速增长。根据市场调查机构Acumen research and condulting预测，伴随着半导体先进制程产线年全球ALD设备市场规模将达到约32亿美元。近年来，在半导体产品市场需求旺盛的带动下，全球晶圆厂产能扩充，同时逐步向中国大陆转移，中国大陆已成为全球晶圆厂新增产能中心。SEMI数据显示，2021-2022年，全球新增晶圆厂29座，其中中国大陆新增8座，占比达到27.59%。中国大陆晶圆厂的扩产、建厂加速了国内半导体产业发展和布局，为国内半导体设备发展提供了巨大的市场空间。根据集微咨询统计，中国大陆预计未来5年（2022年-2026年）还将新增25座12英寸晶圆厂，总规划月产能超过160万片。截至2026年底，中国大陆12英寸晶圆厂的总月产能将超过276.3万片。中国本土晶圆厂建厂的热潮将一同引领中国半导体薄膜沉积设备的需求增长。薄膜沉积是指在硅片衬底上沉积一层待处理的薄膜材料，所沉积薄膜材料可以是二氧化硅、氮化硅、多晶硅等非金属以及铜等金属。薄膜沉积设备主要负责各个步骤当中的介质层与金属层的沉积。公司所聚焦的PECVD、ALD及SACVD系列产品主要用于沉积介质层薄膜材料，在逻辑芯片、3D NAND FLASH存储芯片、DRAM存储芯片中应用广泛。薄膜设备的发展支撑了集成电路制造工艺向更小制程发展。随着集成电路芯片技术的迭代升级，晶圆制造工艺不断走向精密化，芯片结构复杂度不断提高，所需求的薄膜沉积工序和薄膜种类随之增加，对薄膜性能的要求也日益提高。这一趋势对薄膜沉积设备提出了更高的技术要求，市场对于高性能薄膜设备的依赖逐渐增加。在90nm CMOS芯片工艺中，大约需要40道薄膜沉积工序。在3nm FinFET工艺产线道薄膜沉积工序，涉及的薄膜材料由6种增加到近20种，对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级，进而拉动晶圆厂对薄膜沉积设备需求量的增加。在FLASH存储芯片领域，随着主流制造工艺已由2D NAND发展为3D NAND结构，结构的复杂化导致对于薄膜沉积设备的需求量逐步增加。而随着3D NAND FLASH芯片的堆叠层数不断增高，从32/64层逐步向128/196层及更先进节点发展，对于薄膜沉积设备的需求提升的趋势亦将延续。尽管全球半导体设备市场有较强的周期性，但中国大陆半导体产业正面临前所未有的发展机遇，国家战略聚焦，巨大市场支撑，产业链良性互动，产业资本日渐发力，大陆及国际资本投资的晶圆厂数量不断增加，制程更加先进，中国薄膜沉积设备行业将保持高成长性，未来中国市场的重要性将进一步提高。公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。公司主要产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三个产品系列，已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线，打破国际厂商在高端半导体薄膜沉积设备领域对国内市场的垄断，与国际寡头直接竞争。公司目前是国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD设备和SACVD设备厂商，也是国内领先的集成电路ALD设备厂商。报告期内，公司持续拓展PECVD、ALD、SACVD三大系列产品工艺应用领域，不断丰富、完善量产产品的功能，保持产品核心竞争力，进一步提升现有产品市场占有率，并获得逻辑芯片、存储芯片等领域现有客户重复订单和新客户订单。公司产品在晶圆制造产线的量产应用规模持续扩大，截至报告期末，公司设备在客户端产线生产产品的累计流片量已由截至2021年12月份的4600余万片增加至7100余万片。报告期内，公司设备在客户端产线生产运行稳定性表现优异，平均机台稳定运行时间（Uptime）超过90%（业内标准通常为大于85%）。公司在现有产品基础上，围绕CVD设备细分领域，积极布局新产品研发，持续丰富公司产品种类，目前已开发了TS-300（多边形高产能平台）、基于高产能平台的热处理原子层沉积（Thermal-ALD）、高密度等离子增强化学气相沉积（HDPCVD）设备和紫外线固化处理（UV Cure）设备等新产品。PECVD设备是芯片制造的核心设备之一。由于等离子体的作用，可以在相对较低的反应温度下形成高致密度、高性能薄膜，不破坏已有薄膜和已形成的底层电路，实现更快的薄膜沉积速度，是芯片制造薄膜沉积工艺中运用最广泛的设备种类。ALD设备可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确薄膜厚度控制，实现了芯片制造工艺中关键尺寸的精度控制，在结构复杂、薄膜厚度要求精准的先进逻辑芯片、DRAM和3D NAND制造中，ALD是必不可少的核心设备之一。SACVD设备主要应用于沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。在集成电路结构中，沟槽孔洞的深宽比越来越大，SACVD反应腔环境具有特有的高温（400-550℃）、高压（30-600Torr）环境，具有快速优越的填孔（Gap fill）能力。注：随着公司产品种类的不断丰富，公司持续完善产品型号命名规则。报告期内，经履行公司内部决策程序，对公司产品型号名称进行调整，结合设备平台类型及反应腔类别重新命名产品型号。公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售及技术服务。公司通过向下游客户销售薄膜沉积设备并提供备品备件和技术服务来实现收入和利润。报告期内，公司主营业务收入来源于半导体设备的销售，其他业务收入主要来源于设备有关的备品备件销售。公司主要采用自主研发的模式。公司建成了一支国际化、专业化的半导体薄膜沉积设备研发技术团队。公司的研发技术团队结构合理，分工明确，专业知识储备深厚，产线验证经验丰富，是公司自主研发能力的基石。公司根据客户需求、半导体专用设备技术动态和国家重大科技专项目标为导向，研发设计新产品、新工艺，制造研发机台，调试性能参数，在通过公司测试之后，送至客户实际生产环境中进行产业化验证，通过验证后产品正式定型。此外，公司会根据客户不同的工艺应用需求，持续丰富、完善量产产品功能。公司采购主要分为标准件采购和非标件采购。对于标准件采购，公司面向市场供应商进行直接采购。非标件主要为公司研发生产中，根据特定技术需求，自行设计的零部件。对于非标件采购，公司主要通过向供应商提供设计图纸、明确参数要求，由供应商自行采购原材料进行加工并完成定制；针对特定零部件，公司存在提供图纸及参数，并向供应商提供原材料，委托供应商完成定制化加工的情形。公司的产品主要根据客户的差异化需求和采购意向，进行定制化设计及生产制造。公司主要采用库存式生产和订单式生产相结合的生产模式。库存式生产，指公司尚未获取正式订单便开始生产，包括根据Demo订单或较明确的客户采购意向启动的生产活动，适用于公司的Demo机台和部分销售机台。订单式生产，指公司与客户签署正式订单后进行生产，适用于公司大部分的销售机台。报告期内，公司销售模式为直销，通过与潜在客户商务谈判、招投标等方式获取客户订单。经过多年的努力，公司已与国内半导体行业企业形成了较为稳定的合作关系。公司的销售流程一般包括市场调查与推介、获取客户需求及公司内部讨论、产品报价、投标操作与管理（如适用）、销售洽谈、合同评审、销售订单（或Demo订单）签订与执行、产品安装调试、合同回款、客户验收及售后服务等步骤。公司的设备发运至客户指定地点后，需要在客户的生产线上进行安装调试。通常客户在完成相关测试后，对设备进行验收，公司在客户端验收完成后确认收入。公司自成立以来，始终专注于半导体薄膜沉积设备的研发，形成了一系列具有自主知识产权的核心技术，并达到国际先进水平。公司核心技术广泛应用于主营业务产品中，解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题，在保证实现薄膜工艺性能的同时，提升客户产线的产能，减少客户产线的生产成本。公司核心技术及其先进性的具体表征如下：公司始终专注于半导体薄膜沉积设备的研发。报告期内，公司获批承担1项国家重大专项，截至报告期末，公司已先后承担累计7项国家重大专项/课题。公司拥有多项自主知识产权和核心技术。截至报告期末，公司累计申请发明专利502项、实用新型专利101项、外观设计专利1项、PCT21项；累计获得发明专利107项、实用新型专利79项、外观设计专利1项。2022年4月15日，国家知识产权局公布了第二十三届中国专利奖预获奖名单，公司专利“负载腔室及其使用该负载腔室之多腔室处理系统”入围中国专利优秀奖。报告期内，公司不断丰富产品种类，拓展工艺应用领域，持续加大研发投入，公司本期研发投入1.18亿元，同比增长45.66%，主要系研发的直接投入和研发人员薪酬增加所致。报告期内，公司一直在高端半导体设备领域持续深耕，专注于薄膜沉积设备的研发和产业化应用。公司围绕国家专项战略布局，面向国内集成电路芯片制造技术发展及市场需求，充分发挥公司在研发团队、技术储备、客户资源及售后服务等方面的优势，紧抓国内半导体产业高速发展的市场机遇，坚持以技术和产品创新驱动业务发展，持续保持新产品、新工艺及新技术的研发和投入，增强产品市场竞争力，同时，持续强化公司运营管理，促进公司持续、稳健、快速的发展，在经营业绩、产品研发、市场销售等诸多方面取得了突出的进展。报告期内，公司产品持续保持竞争优势，同时受益于下游晶圆厂的产能扩充以及国家政策对国产设备的大力支持，公司产品销量同比大幅增加，实现营业收入52,321.69万元，较上年同期增长364.87%，营业收入大幅增长；实现归属于上市公司股东的净利润10,812.27万元，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润4,915.03万元，较上年同期实现扭亏为盈，盈利能力持续增强。报告期内，公司实现主营业务收入51,666.74万元，较上年同期增长392.56%。公司主营业务按产品类别构成分析情况如下：报告期内，公司主营业务收入主要来自于PECVD设备、ALD设备及SACVD设备销售收入，其中PECVD设备的收入为公司主营业务收入的最主要来源，ALD设备及SACVD设备较同期相比均实现收入。报告期内，公司继续保持较高水平的研发投入，逐步提升现有产品技术创新能力，保持产品核心竞争力，不断丰富设备种类，拓宽薄膜工艺产品的覆盖面，在产品产业化应用进展、新产品研发等方面均取得了突破和进展。报告期内，公司PECVD(PF-300T（双站式）)设备持续保持竞争优势，订单量稳定增长，市场占有率不断提升，已获得现有及新客户的验收。截至报告期末，公司PECVD(PF-300T（双站式）)设备已广泛应用于国内晶圆制造产线DNANDFLASH、DRAM存储芯片制造等领域。公司推出的PECVD(NF-300H（六站式）)设备在DRAM存储芯片制造领域实现首台产业化应用，可以沉积ThickTEOS介质材料薄膜。该设备每次可以同时最多处理18片晶圆，具备高产能及良好性能指标，拓宽了公司工艺应用覆盖面。报告期内，公司PE-ALD系列产品在逻辑芯片、3DNANDFLASH、DRAM存储芯片制造领域的验证进展顺利，ALD反应腔通过现有客户验收。同时，公司以客户需求为导向，积极布局PE-ALD先进薄膜工艺的应用拓展。截至报告期末，公司PE-ALD系列产品已在逻辑芯片领域实现产业化应用，可以沉积高温、低温、高质量等多种指标要求的SiO2介质材料薄膜。截至报告期末，公司Thermal-ALD(PF-300T（双站式）)设备已完成产品开发并取得客户订单，根据客户指标要求进行持续优化改进。报告期内，公司SACVD产品持续拓展应用领域，BPSG及SATEOS薄膜工艺在40/28nm逻辑芯片制造领域取得客户验收。截至报告期末，公司SACVD产品在12英寸40/28nm以及8英寸90nm以上的逻辑芯片制造领域均已实现广泛应用，并取得了现有及新客户订单。报告期内，公司在CVD细分领域内不断丰富设备种类，扩大产品覆盖面，开发了TS-300（多边形高产能平台）、基于高产能平台的热处理原子层沉积（Thermal-ALD）、高密度等离子增强化学气相沉积（HDPCVD）设备和紫外线固化处理（UVCure）设备等新产品，并取得了突破和进展。具体情况如下：公司在现有平台基础上，研发设计了六边形传输平台的设计，实现同时搭载最多五个反应腔（10个反应站），提高薄膜沉积设备的产能，同时，可以进行多种工艺的集成组合，实现在真空环境下进行连续多步骤沉积处理。公司多边形高产能平台可以搭载PECVD反应腔、ALD反应腔及HDPCVD反应腔，已取得现有及新客户订单。公司基于Thermal-ALD(PF-300T（双站式）)设备，开发了Thermal-ALD(TS-300（多边形高产能平台）)设备，提高产能的同时，可以进行多种薄膜工艺的集成组合，可以沉积Al2O3、AlN等多种金属化合物薄膜材料，已取得客户订单。高密度等离子体增强化学气相沉积（HDPCVD）设备可以同时进行薄膜沉积和溅射，实现对深宽比小于5:1的沟槽填充，HDPCVD沉积的薄膜致密度更高，杂质含量更低，主要适用于130-55nm制程逻辑芯片制造领域。公司研制了HDPCVD(PF-300T(单站式）)设备和HDPCVD(TS-300（多边形高产能平台）)设备，可以沉积SiO2、FSG、PSG等介质材料薄膜，HDPCVD系列(PF-300T(单站式）)设备已出货至客户端进行产业化验证。上述两款设备均取得了客户订单。UVCure设备主要用于薄膜紫外线固化处理，可以有效改善薄膜后处理制程的高效性和热预算，提升薄膜应力、颗粒度、硬度等关键性能指标。公司UVCure设备已完成设计开发，可以与PECVD设备成套使用，为PECVDLokII、HTN等薄膜沉积进行紫外线固化处理，已出货至客户端进行产业化验证，并取得了客户订单。公司持续优化供应链管理体系，建立了覆盖生产与库存管理、采购管理、物流管理等多维度的协调机制。公司一直非常注重供应商的培养，持续完善供应商扶植与绩效考核机制，促进供应商产品质量与产品性能的不断提升。在全球供应链紧张及疫情影响的大背景下，公司强化与供应商的合作深度并扩大合作范围，通过提前策划、共享需求预测等方式不断调整优化供应链结构，采用全球化、多货源的供应策略。同时，根据客户需求和研发需求，合理规划部件采购体量及进度，保证关键部件的及时稳定供应。报告期内，公司上游供应链总体保持稳定，有效保障了生产顺利进行。报告期内，公司继续聚焦中国大陆薄膜沉积市场，紧抓国内下游晶圆制造厂扩产带来的市场机遇，凭借公司产品的核心竞争优势，市场占有率和客户认可度持续提升：（1）公司PECVD、ALD及SACVD三个系列产品及新产品获得了现有及新客户订单；（2）公司产品在客户产线验证进展顺利，并取得良好成果，在晶圆制造产线的量产应用规模持续扩大，产品销量同比大幅度增加；（3）公司继续保持与下游客户深入稳定的合作，持续提供定制化高性能产品，为公司未来业务增长奠定坚实基础。报告期内，公司结合业务发展需要，持续加强人才梯队建设，扩大人员规模。在人才引进方面，积极吸引行业经验丰富的管理及技术人才，并从国内高校选拔优秀的毕业生。在人才培养方面，公司持续优化培训体系，充分发挥绩效考核激励机制，增强员工的荣誉感和凝聚力；持续加强与高校的紧密合作，实行厂校挂钩定向招聘；与国内高校建立联合培养机制，定向培养后备人才，为公司人才队伍建设提供有力支撑。报告期内，公司不断提升产品生产制造水平，优化物料运营管理，有效提升装配制造及时率、合格率。公司持续强化产品质量的管理体系，并保持较高水平的售后技术支持服务，提升客户满意度。公司设有EHS（环境、健康、安全）合规管理部门，对公司生产运营进行监督，保障公司生产的合规和安全。公司积极布局信息系统技术防护和安全保密管理，保障公司网络安全、数据安全。报告期内，公司完成了首次公开发行股票并在上海证券交易所科创板上市，本次首发上市向社会公众公开发行人民币普通股（A股）股票31,619,800股，每股面值为人民币1元，发行价格为每股人民币71.88元，募集资金总额为人民币227,283.12万元，扣除发行费用人民币14,523.40万元后，募集资金净额为人民币212,759.73万元。公司首发上市的成功，为公司扩大生产规模、开发新工艺和新产品提供了有力的资金保障。公司募投项目一“高端半导体设备扩产项目”为“半导体薄膜设备产业化基地（一期）项目”的扩产项目，在公司原有半导体薄膜设备研发和生产基地基础上进行二期洁净厂房建设、配套设施及生产自动化管理系统建设。报告期内，二期洁净厂房已基本完成建设，达到投产状态，同时进行生产自动化管理系统的布局。公司募投项目三“ALD设备研发与产业化项目”依托上海临港600848）新片区集成电路产业集群的优势和上海地区的人才优势，着力于招募一流的研发团队，攻克高端芯片制造薄膜沉积设备。报告期内，公司研发与产业化基地建设正在顺利推进，已进行ALD产品研发工作。报告期内，公司设立了全资子公司拓荆美国，该公司的设立有利于公司加强供应链合作，调研国际市场。截至报告期末，拓荆美国尚未实际运营。2022年6月17日，公司召开了第一届董事会第十一次会议，审议通过了《关于使用募集资金向全资子公司增资以实施募投项目的议案》，同意公司使用募集资金向拓荆上海增资27,000万元，以实施募投项目“ALD设备研发与产业化项目”。本次增资后，将加快公司ALD设备的研发和产业化，完善公司产品线布局，提高公司产品市场竞争力。2022年7月20日，公司已向拓荆上海支付增资款。2022年8月9日，拓荆上海完成工商变更登记事宜。2022年6月17日，公司召开了第一届董事会第十一次会议，审议通过了《关于对外投资并参股深圳市恒运昌真空技术有限公司的议案》，同意公司以自有资金向恒运昌增资人民币2,000.00万元，占增资后恒运昌总股本的3.5088%。恒运昌主要从事用于半导体设备、光伏及工业设备的射频电源的研发、生产和销售，已经为公司供应射频电源、射频匹配器等产品。本次增资有利于公司完善产业布局，与公司战略布局相符，与主营业务具有协同效应，并能增强公司上游供应链的稳定性。2022年7月14日，公司已向恒运昌支付增资款。2022年8月8日，恒运昌完成工商变更登记事宜。报告期内，公司共召开1次股东大会、5次董事会会议、1次董事会审计委员会会议、1次董事会薪酬与考核委员会会议及2次监事会会议。作为上市公司，公司严格依照《公司法》《证券法》《上海证券交易所科创板股票上市规则》以及《拓荆科技股份有限公司章程》等有关法律、法规、规范性文件的要求不断完善公司的治理结构，提高经营管理决策的科学性、合理性、合规性和有效性，提升公司的治理和规范运作水平，为公司业务目标的实现奠定良好的基础。公司高度重视上市公司规范运作、信息披露管理工作和投资者关系管理工作。公司根据相关法律、法规和部门规章，结合公司实际情况，制定了股东大会、董事会、监事会、信息披露和投资者管理等规范运作的内部制度，并严格遵照执行；公司认真履行信息披露义务，确保信息披露的及时、真实、准确和完整；通过投资者电话会议、传真、电子邮箱和投资者关系互动平台、接待投资者现场调研等多种方式与投资者进行沟通交流，建立良好的互动关系。公司高度重视内幕交易防范，做好内幕信息知情人登记管理和防范内幕交易工作。对公司董事、监事、高级管理人员及相关员工定期作出禁止内幕交易的警示及教育，敦促董事、监事、高级管理人员及相关知情人员严格履行保密义务并严格遵守买卖股票规定。报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项下游晶圆厂产能投资规模决定了半导体专用设备的市场空间。晶圆厂的扩产投资具有一定的周期性。如果下游晶圆厂的产能投资强度降低，公司将面临市场需求下降的情况，对于公司的经营业绩会造成不利影响。在半导体设备国产化的大背景下，公司将通过持续的研发，不断加强自身的产品市场竞争力，提高现有客户的信赖程度并不断拓展新的客户；公司将随时关注半导体行业周期的发展阶段，根据市场情况统筹公司购、产、销各个环节，保持公司的经营活动与行业周期的协调；同时，公司将始终保证现金流合理充裕，避免行业下行期公司经营陷入困境。目前公司的竞争对手主要为国际知名半导体设备制造商，与中国大陆半导体专用设备企业相比，国际巨头企业拥有客户端先发优势，公司的综合竞争力处于弱势地位，市场占有率较低。另外，国内半导体设备厂商存在互相进入彼此业务领域，开发同类产品的可能。公司面临国际巨头以及潜在国内新进入者的双重竞争。如果公司无法有效应对市场竞争环境，则公司的行业地位、市场份额、经营业绩等均会受到不利影响。目前公司是国内唯一的产业化应用的集成电路PECVD设备和SACVD设备厂商，公司将持续关注国外竞争对手的发展，通过持续有效的研发投入不断缩短与国外厂商的技术代差，同时公司也密切关注国内竞争格局，不断提升产品核心竞争力；公司亦将时刻关注行业竞争态势，科学合理的设定研发方向，加快研发进度，构筑较高的行业进入壁垒；同时，公司也将与客户保持更加紧密的合作，实现与下游客户的共同成长。薄膜沉积设备所沉积的薄膜技术参数直接影响芯片性能。生产中不仅需要在成膜后检测薄膜厚度、均匀性、光学系数、机械应力及颗粒度等性能指标，还需要在完成晶圆生产流程及芯片封装后，对最终芯片产品进行可靠性和生命周期测试，以衡量薄膜沉积设备是否最终满足技术标准。因此，晶圆厂对薄膜沉积设备所需要的验证时间相比其他半导体专用设备可能更长。如果受某些因素影响，公司产品验收周期延长，公司的收入确认和收款将有所延迟，增加公司的资金压力，影响公司的财务状况。随着公司产品集成电路制造产线的应用规模逐步扩大，公司产品技术日益成熟，以及与客户高效稳定的合作机制下，产品的验证周期逐渐缩短。后续公司将持续关注公司的产品验收和回款情况，保证公司经营持续健康发展。半导体设备为典型的技术密集型行业。近年来，国内半导体专用设备市场及晶圆制造需求不断增长，行业内人才竞争日益激烈，专业技术人才呈现严重短缺的情形。公司若无法持续为技术人才提供较优的薪酬待遇和发展平台，无法持续吸引全球高端技术人才，则将面临技术人才流失、储备不足的局面，并可能导致公司创新能力不足。公司向研发人员提供有市场竞争力的薪酬福利待遇，持续完善绩效评价和考核晋升机制，实现员工与公司长期共同发展。报告期内，公司核心技术人员不存在流失情形，保证了核心研发团队的稳定。随着半导体行业技术的发展和迭代，下游客户对薄膜沉积设备及性能的需求也随之变化。因此，公司需要持续保持较高的研发投入，保持产品的核心竞争力和先进水平。如果公司未来未能准确理解下游客户的产线设备及工艺技术演进需求，或者技术创新产品不能契合客户需求，可能导致公司设备无法满足下游产线生产制造需要，将可能对公司的经营业绩造成不利影响。公司建立了科学的研发体系，技术创新紧跟市场需求，研发立项以客户需求为导向，始终与客户保持持续有效沟通，以避免可能的技术研发失败给公司带来损失。公司在报告期内收到的政府补助主要是对公司研发投入的支持。如果未来政府部门对公司所处产业的政策支持力度有所减弱，或者其他补助政策发生不利变化，公司取得的政府补助金额将会有所减少，公司将需要投入更多自筹资金用于研发，进而影响公司现金流。此外，政府补助的减少，也会对公司的经营业绩产生一定的不利影响。公司将持续扩大经营业务规模，提高盈利能力，以逐渐降低对政府补助的依赖。报告期内，公司归属于上市公司股东的净利润为10,812.27万元，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为4,915.03万元，较上年同期实现扭亏为盈，但公司未来研发活动需保持较大金额的投入。如果公司研发项目进展或主要产品销售情况不及预期，公司可能出现业绩不及预期，存在无法持续盈利的风险。公司以市场需求为导向，将持续丰富公司的产品种类、优化产品结构，增强产品核心竞争力，不断扩大市场规模，以保障公司经营业绩，并提升公司盈利能力。近年来，国际贸易摩擦不断，中美贸易摩擦加剧了全球供应链的不稳定性。目前，公司的部分零部件暂时仍然需要向国外供应商采购。如果国际贸易摩擦进一步加剧，可能出现上述国外供应商受相关政策影响减少或者停止对公司零部件的供应，进而影响公司产品生产能力、生产进度和交货时间，降低公司的市场竞争力。公司与供应商积极开展更深入、更广泛的合作，采取全球化、多货源的供应策略，构建稳定的合作渠道，以加强自身供应链安全，降低国际产业链不稳定所带来的风险。当前新冠疫情仍然在全球范围内蔓延，我国面临较大的疫情防控压力。如果公司的生产经营所在地爆发较大规模的疫情，则将对公司的生产、销售、交付等环节造成不利影响。此外，疫情的蔓延可能会一定程度影响行业上下游健康发展，可能对公司的原材料供应、产品运输等生产经营造成不利影响。公司非常重视疫情防控，时刻关注疫情动态，并持续完善疫情常态化局势下的生产运营管理机制。报告期内，新冠疫情并未对公司的业务造成实质影响。公司致力于研发和生产世界领先的半导体薄膜设备，始终坚持自主创新，持续地为半导体行业和客户提供具有竞争力的产品。公司建立了创新管理体制，并在研发团队、技术积累和研发平台、市场拓展和售后服务等方面形成竞争优势，具体体现为：公司自设立以来，坚持自主创新，形成了一系列独创性的设计，构建了完善的知识产权体系。截至报告期末，公司累计获得授权专利187项，其中发明专利107项。公司先后承担了7项国家重大专项/课题，已研发了支持不同工艺型号的PECVD、ALD和SACVD设备，在半导体薄膜沉积设备领域积累了多项研发及产业化的核心技术，构建了具有设备种类、工艺型号外延开发能力的研发平台。公司面向国内半导体制造产业的实际需求和产线演进节奏，在逻辑电路应用领域储备了28nm以下先进介质材料工艺薄膜沉积技术，在存储芯片领域储备了3DNAND和DRAM介质薄膜沉积技术，在先进封装领域储备了TSV、2.5D-IC、3D-IC集成领域所需的介质薄膜沉积技术。公司未来将坚持高强度的研发投入，持续迭代升级、优化现有设备和工艺，不断推出面向未来发展需求的新工艺、新设备。公司已经建成了一支国际化、专业化的半导体薄膜沉积设备技术研发及管理团队。公司创始团队以归国海外专家为核心，立足核心技术研发，积极引进海外高层次人才、自主培养本土科研团队。公司国际化专业化的高级管理团队、全员持股的激励制度，吸引了大量具有丰富经验的国内外半导体设备行业专家加入公司，在整机设计、工艺设计、软件设计等方面做出突出贡献。公司自设立以来，自主培养本土科研团队，随着多项产品的研发成功，公司本土科研团队已成长为公司技术研发的中坚力量。截至报告期末，公司研发人员共有296名，占公司员工总数的43.72%。公司的研发技术团队结构合理，分工明确，专业知识储备深厚，产线验证经验丰富，是奠定公司技术实力的基石，保障了公司产品的市场竞争力。报告期内，公司核心技术团队人员稳定，不存在重大不利变化。公司以建立“世界领先的薄膜设备公司”为愿景，通过在薄膜沉积设备这一半导体核心设备细分领域的积累和快速发展，已经成为国内半导体设备行业的领军企业。公司已与国内半导体行业企业形成了较为稳定的合作关系。公司的主要产品PECVD、ALD及SACVD设备已批量发往国内主要集成电路晶圆厂产线。此外，公司积极关注国际市场需求，适时开拓国际市场。公司建立了完善的供应链管理体系，吸纳积累全球范围内的供应链资源，与关键供应商建立战略合作关系，搭建了稳定的供应链结构。通过对供应商进行阶段性的评估与考核，鼓励供应商在产品质量、交货期和成本控制等方面进行改善，从而提高企业竞争力。公司以协作为基础，与供应商实时互动，共同进行敏捷的协同产品创新，保持良好稳定的合作关系。公司的主要竞争对手均位于美国和日本，服务中国大陆客户的成本较高。公司的研发和生产主要位于中国大陆，拥有区位优势。在产品设计方面，公司通过与供应商密切合作，使产品具有模块化、易维护的特点，从而降低公司原材料采购成本。随着本土供应商的不断成熟，给予了公司更多的采购选择。因此，公司相比其主要竞争对手在运营成本方面具有一定优势，随着产能的不断提升，降本优势将更加明显。公司针对客户提出的特定工艺材料、特定制造工序薄膜性能的快速响应能力可以及时满足客户产线的客制化设备需求。这对于中国本土客户近年来能够快速扩充产能极其重要，由此建立和巩固与客户稳定的合作关系。公司主要客户的生产基地位于中国大陆，相较于国际竞争对手，公司最高层管理和技术团队更贴近主要客户，能够提供高效的、及时的技术支持和售后服务，及时保障和满足客户需求。
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